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还在为设备的多任务卡顿和续航短板而烦恼吗？MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的4Gb LPDDR4移动DRAM，以高达1.866GHz的运行速度，为您的高端移动设备注入澎湃动力，让应用切换、高清视频播放和复杂图形处理都变得无比流畅迅捷。

它采用先进的低功耗设计，仅需0.6V和1.1V双电压供电，能显著延长您设备的电池续航时间。同时，其宽广的-40°C至125°C工作温度范围和紧凑的200-WFBGA封装，让您的产品设计更加灵活可靠，轻松应对各种严苛环境与空间挑战。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与持久的卓越性能基石。

• 型号:MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。