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您是否渴望为您的移动设备注入一颗强劲且高效的心脏？MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb Mobile LPDDR4 DRAM，能以高达2.133GHz的疾速响应，让您的应用程序加载更快、多任务切换更流畅，彻底提升终端用户的体验满意度。

它不仅仅提供高速，更注重能效。0.6V/1.1V的低电压设计，让您在享受澎湃性能的同时，显著降低系统功耗，轻松延长智能手机、平板电脑等设备的续航时间。其稳健的-30°C至85°C工作温度范围和200-WFBGA紧凑封装，确保了在各种环境下的可靠运行，并为您节省宝贵的电路板空间，让设计更自由，生产更高效。

• 型号:MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。