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MT53D768M64D8NZ-046 WT:E 零件图片(仅供参考)

MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
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MT53D768M64D8NZ-046 WT:E 规格参数

还在寻找能同时点燃性能与能效的“心脏”吗?MT53D768M64D8NZ-046 WT:E就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的48Gb LPDDR4移动DRAM,以高达2133MHz的时钟频率,为您的高端设备带来疾风骤雨般的数据处理能力,让应用响应、多任务处理和大文件加载都变得瞬间完成。

它专为追求极致的移动体验而生。1.1V的低电压设计,让您在享受澎湃性能的同时,无需担心功耗飙升,显著延长设备的续航时间。无论是用于旗舰智能手机、超薄笔记本,还是对功耗敏感的车载信息娱乐系统,它都能完美平衡速度与效率。

此外,其宽温工作特性(-30°C ~ 85°C)和可靠的表面贴装封装,确保了在各类复杂环境下的稳定运行。选择它,就是为您的产品选择了一个高效、可靠且节能的强大数据伙伴,轻松应对未来挑战。

  • 制造商产品型号:MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:48Gb(768M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:376-WFBGA
  • MT53D768M64D8NZ-046 WT:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D768M64D8NZ-046 WT:E 基本参数:

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