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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR 规格参数

还在寻找能让您的移动设备既快又持久的“能量引擎”吗?MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb LPDDR4移动DRAM,以高达1866MHz的速度和512M x 64的位宽,为您构建起一条数据高速公路,让应用程序加载、大型文件处理和多任务切换变得前所未有的迅捷流畅。

更重要的是,它在提供澎湃性能的同时,仅需1.1V低电压供电,能显著降低系统整体功耗,直接帮助您延长终端设备的电池续航时间,或让设计更加轻薄。其坚固的品质和宽温特性(-30°C ~ 85°C),确保您的产品在各种环境下都能稳定运行,让您轻松应对从消费电子到工业应用的多样化挑战。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR 基本参数:

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