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MT53D512M64D8TZ-053 WT:B 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
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MT53D512M64D8TZ-053 WT:B 规格参数

还在寻找能让您的移动设备性能脱颖而出的核心部件吗?MT53D512M64D8TZ-053 WT:B正是您期待的答案。这颗美光出品的32Gb Mobile LPDDR4 DRAM,以高达1866MHz的速度高效运转,能瞬间响应处理指令,让您的应用程序加载更快、多任务切换更流畅,彻底告别等待。

它专为追求极致能效的移动平台设计,1.1V的低电压供电大幅降低了系统整体功耗,让您在享受高性能的同时,轻松延长设备的电池续航。无论是智能手机、平板电脑还是新兴的物联网设备,它都能提供稳定可靠的大容量高速存储支持,是您打造下一代智能产品的理想选择。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D512M64D8TZ-053 WT:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D8TZ-053 WT:B 基本参数:

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