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还在寻找能让您的移动设备或嵌入式系统“快人一步”的内存核心吗？MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR就是您期待的答案。这颗美光LPDDR4芯片，拥有高达32Gb（512M x 64）的存储容量和1866MHz的时钟频率，能为您提供充沛的数据吞吐带宽，轻松应对高清多媒体、复杂图形处理和高速数据交换等任务，让系统响应如丝般顺滑。

它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。1.1V的低工作电压设计，能显著降低系统功耗，直接帮助您的终端产品延长续航时间，提升用户体验。同时，其宽广的工业级工作温度范围（-30°C ~ 85°C）和可靠的556-WFBGA封装，确保了在各种严苛环境下的稳定运行，让您的设计更具竞争力和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、稳定且持久的“性能引擎”。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 556WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：556-WFBGA
• MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。