我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的内存瓶颈而妥协性能吗？MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E就是为您打破限制的利器。这颗来自美光科技的32Gb LPDDR4移动内存，能以高达2133MHz的速度疾速吞吐数据，让您的应用程序加载更快、多任务处理更流畅，彻底告别等待的烦恼。

它采用先进的低功耗设计，仅需1.1V供电，在提供强大带宽的同时，显著降低系统整体能耗，直接延长您终端设备的电池续航。其宽泛的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）和紧凑的376-WFBGA封装，更能让您轻松应对严苛环境与紧凑空间的设计挑战，无论是消费电子还是工业应用，都能游刃有余。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E，Micron（美光）产品一站式供应商。