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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR 规格参数

还在寻找能瞬间提升设备响应速度的核心部件吗?MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb LPDDR4移动内存,以2133MHz的高频动力,为您的高端移动设备注入澎湃数据流,让多任务处理、高清媒体播放和复杂应用运行都变得无比流畅迅捷。

它专为追求极致能效比的设计而生。1.1V的低电压运行,意味着在提供强大性能的同时,能显著延长电池续航,让您的产品在性能和功耗间取得完美平衡。无论是智能手机、平板电脑还是车载系统,它都能确保稳定高效的运行。

更值得一提的是,其宽广的工作温度范围(-30°C ~ 105°C)赋予了产品出色的环境适应性,轻松应对严苛的户外或工业场景。选择它,就是选择了一份让终端用户体验飞跃的可靠保障。

  • 型号:MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR 基本参数:

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