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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D 规格参数

还在寻找能同时引爆性能与能效的内存解决方案吗?MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D正是您期待的答案。这颗美光出品的32Gb LPDDR4移动DRAM,以2133MHz的高频和1.1V超低电压,为您打造极致能效比。它让您的移动设备在处理大型应用、高清流媒体和复杂AI任务时,依然保持流畅迅捷,同时大幅节省电力,延长宝贵的使用时间。

它不仅仅是一颗内存芯片,更是您产品竞争力的加速器。其宽温特性(-30°C ~ 105°C)确保在多样环境下稳定工作,无论是消费电子还是严苛的工业、汽车应用,都能提供可靠的数据带宽支持。选择它,就是为您的设计注入高效、稳定的内存动力,轻松应对未来挑战。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:盒
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D 基本参数:

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