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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E 规格参数

还在寻找能同时满足高性能与低功耗需求的内存解决方案吗?MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E正是您的理想之选。这颗美光出品的32Gb移动LPDDR4 DRAM,能以1866MHz的高速时钟频率,让您的设备数据处理快如闪电,无论是复杂的图形渲染还是实时数据交换,都能轻松驾驭。

更重要的是,它在提供强大动力的同时,凭借1.1V的低电压设计和优化的功耗管理,能显著延长移动设备的电池续航,并有效控制系统发热。其宽温特性(-30°C ~ 85°C)确保了在各种极端环境下依然稳定运行,让您的产品设计无惧挑战,可靠如一。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:盒
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E 基本参数:

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