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还在为设备卡顿、续航焦虑而烦恼吗？让MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR来彻底改变这一局面。这颗美光科技的16Gb移动LPDDR4 DRAM芯片，能以高达1600MHz的速度为您的高速应用提供充沛的数据带宽，无论是多任务处理、高清视频播放还是大型游戏加载，都能瞬间响应，流畅无比。

更令人惊喜的是，它在提供强劲性能的同时，还格外“省心省电”。1.1V的低工作电压设计，能显著降低系统整体功耗，有效延长电池续航时间，让您的移动设备在性能全开时也能保持持久的战斗力。其紧凑的200-WFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），让您可以轻松将其集成到各种空间受限或环境严苛的设计中，从消费电子到工业领域，游刃有余。

• 制造商产品型号：MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（512M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
• MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。