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还在为设备的内存性能不够用而发愁吗？让MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E来彻底改变这一局面。这颗美光16Gb LPDDR4芯片，以其2133MHz的高频和512M x 32的宽位配置，为您提供海量且高速的数据吞吐能力，轻松应对多任务并行、大型游戏加载和高分辨率视频处理等苛刻场景。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，能显著延长移动设备的电池续航。同时，其宽温特性（-30°C ~ 85°C）和紧凑的200-WFBGA封装，让您的产品设计更加灵活可靠，无论是追求极致的消费电子还是稳定为先的工业应用，都能获得高效、稳定的内存支持，助您打造出更富竞争力的终端产品。

• 型号:MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E，Micron（美光）产品一站式供应商。