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还在为设备运行卡顿、功耗过高而烦恼吗？让MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR为您彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的16Gb LPDDR4移动内存，以2.133GHz的高频和512M x 32的位宽，为您的高速应用注入澎湃动力，确保多任务处理和数据读写如行云流水般顺畅。

它不仅能大幅提升您设备的响应速度，更能通过0.6V/1.1V的低电压设计和先进的节能技术，显著优化整体能效。这意味着您的产品可以在提供顶级性能的同时，实现更长的续航时间，让用户在移动中也能尽情享受高效与流畅。其表面贴装的200-WFBGA封装和宽温工作特性，让您能轻松将其集成到从智能手机、平板电脑到各类嵌入式系统之中，打造出更强大、更可靠的终端产品。

• 型号:MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。