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还在寻找能让您的移动设备性能飞升的核心内存吗？MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的16Gb LPDDR4芯片，以2133MHz的高频和256M x 64的宽位架构，为您构建起高速数据通道，让您的应用加载更快、多任务切换更流畅，彻底告别卡顿等待。

它专为高性能移动计算而生，1.1V的低电压设计让您在享受澎湃动力的同时，无需担心功耗压力，轻松实现性能与续航的完美平衡。无论是处理复杂的图形渲染还是实时的AI运算，它都能提供稳定可靠的支持，让您的产品设计游刃有余，高效释放硬件潜能。

• 制造商产品型号：MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（256M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。