我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为您的移动设备寻找那颗既能提供澎湃性能，又兼顾出色能效的“心脏”吗？MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E正是您期待的答案。这颗美光LPDDR4移动DRAM，拥有高达64Gb（1G x 64）的容量和2133MHz的疾速频率，能轻松应对多任务处理、高帧率游戏和4K/8K视频流，让您的设备运行如飞，用户体验直接拉满。

它采用先进的1.1V低电压供电和优化的376-WFBGA封装，在为您带来高效数据吞吐的同时，显著降低了系统功耗与发热，延长了设备的续航时间。其宽泛的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）确保了在各种环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的产品选择了一个性能强劲、能效卓越的可靠伙伴，让您的设计脱颖而出。

• 制造商产品型号：MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：64Gb（1G x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E，Micron（美光）产品一站式供应商。