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MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR
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MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR 规格参数

还在为设备的内存性能与功耗平衡而头疼吗?MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR就是您期待的答案。这颗美光LPDDR4移动DRAM,拥有32Gb(1G x 32)的大容量和2133MHz的高频率,能为您的高速处理器提供源源不断的数据流,彻底告别卡顿与延迟,让多任务处理和高清内容加载变得无比轻松。

更重要的是,它在提供强劲性能的同时,保持了极佳的能效表现。1.1V的低工作电压显著降低了系统整体功耗,直接助力延长移动设备的续航时间。其表面贴装的200-VFBGA超薄封装,让您能更灵活地进行PCB布局,轻松实现更轻薄、更紧凑的工业设计。选择它,就是选择了一条通往高效、流畅且续航持久的终端产品之路。

  • 制造商产品型号:MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(1G x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-VFBGA
  • MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR 基本参数:

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