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更重要的是，它采用先进的1.1V低电压供电，在提供澎湃性能的同时，显著降低系统功耗，有效延长电池续航。其表面贴装的200-VFBGA紧凑封装和宽达-40°C至95°C的工作温度范围，让您能轻松将其集成到各种空间受限或环境严苛的设计中，无论是追求轻薄的消费电子还是要求可靠的工业设备，它都能完美胜任，是您提升产品竞争力的理想之选。

• 型号:MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:1G x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。