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当您的下一代移动设备需要同时驾驭多任务处理与高清内容创作时，MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR就是您理想的性能伙伴。这颗美光出品的24Gb大容量LPDDR4移动内存，能以高达1600MHz的速度疾速响应，瞬间提升系统数据交换效率，让应用程序加载更快，大型文件处理更流畅，彻底告别等待。

它专为追求能效比的设计而生，1.1V的低电压供电让您在享受澎湃性能的同时，显著延长设备的电池续航。其宽泛的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）确保了在各种环境下都能稳定运行，无论是炎夏还是严冬，您的产品表现始终如一。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且节能的数据处理核心。

• 型号:MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:768M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。