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更重要的是，它专为移动时代的高效与持久而生。1.1V的低工作电压设计，在释放强劲性能的同时，显著降低功耗，直接延长您设备的电池续航时间。其紧凑的366球WFBGA封装和表面贴装特性，让您能轻松实现更轻薄、更时尚的产品设计。无论是打造旗舰手机、高性能平板，还是创新的物联网设备，选择它，就是选择了一个让产品性能脱颖而出、用户体验大幅提升的可靠核心。

• 制造商产品型号：MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 366WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：366-WFBGA
• MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。