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MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR 零件图片(仅供参考)

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
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MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR 规格参数

当您的设备需要处理海量数据并保持极速响应时,MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR就是您理想的性能伙伴。这颗由美光科技打造的32Gb Mobile LPDDR4 SDRAM,能以高达1600MHz的速度运行,为您的高端移动设备、智能终端提供充沛的数据带宽,让复杂的应用程序和多任务处理变得行云流水。

它不仅仅追求速度,更注重能效平衡。1.1V的低工作电压设计,显著降低了系统功耗,有效延长了电池续航,让您的产品在性能与功耗之间找到完美平衡点。其坚固的272-WFBGA封装和宽温(-30°C ~ 85°C)特性,确保了在各种环境下的稳定性和可靠性,让您轻松构建出更耐用、更高效的产品解决方案。

  • 制造商产品型号:MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 272WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:272-WFBGA
  • MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR 基本参数:

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