我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能让您的移动设备“飞”起来的内存方案吗？MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的16Gb LPDDR4移动DRAM，以1600MHz的高频和1.1V的低电压运行，专为平衡高性能与低功耗而设计。

它能为您做什么？它让您的智能手机或平板电脑轻松应对多任务切换与大型游戏，带来丝滑流畅的操作体验；它让您的嵌入式系统高效处理海量数据，为AI推理和复杂计算提供充沛带宽。其表面贴装的200-WFBGA封装，更让您能轻松实现紧凑的电路板设计，助力产品小型化。选择它，就是选择了一个可靠、高效且动力十足的数据伙伴。

• 制造商产品型号：MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（512M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
• MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。