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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR 规格参数

还在寻找能彻底释放您移动设备潜力的内存解决方案吗?MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的24Gb Mobile LPDDR4 DRAM芯片,以高达1600MHz的运行速度,为您带来疾风骤雨般的数据处理能力,让多任务切换、高清媒体播放和复杂图形渲染变得无比轻松流畅。

它采用先进的1.1V低电压设计,在提供强大性能的同时,显著优化了系统功耗,有效延长了电池续航时间。其宽泛的工作温度范围(-30°C ~ 85°C)和272-WFBGA紧凑型封装,确保了在各种严苛环境和空间受限的设计中都能稳定、高效地工作。选择它,就是为您的智能手机、平板、车载系统或嵌入式设备,装备上一颗强大、可靠且高效的心脏。

  • 制造商产品型号:MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 1600MHZ 272WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb(384M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:272-WFBGA
  • MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR 基本参数:

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