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MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR
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MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR 规格参数

您是否渴望为您的移动设备或嵌入式系统找到一颗既能飙高速,又极为省电的“超级内存”?MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb LPDDR3 DRAM芯片,以高达1067MHz的运行频率,为您的高速处理器提供源源不断的数据流,确保应用加载、多任务处理和图形渲染瞬间完成,彻底告别卡顿等待。

更重要的是,它专为能效而生。1.2V的低电压核心设计,能显著降低系统整体功耗,让您的设备续航更持久,发热更少。同时,其宽广的-30°C至85°C工作温度范围,赋予了它出色的环境适应性,无论是炎夏还是寒冬,都能稳定可靠地工作。选择它,就是选择为您的产品注入一颗强劲、冷静且可靠的“数字心脏”,轻松应对各种高性能与长续航并重的挑战。

  • 制造商产品型号:MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 1067MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:8Gb(512M x 16)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1067MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.2V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR 基本参数:

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