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还在为系统数据吞吐速度而焦虑吗？MT49H8M36FM-25:B就是您期待的答案。这颗美光出品的288Mb并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间，能瞬间提升您系统的数据交换能力，让海量信息处理变得轻松而高效。

它采用144-TFBGA表面贴装封装，集成度高，易于在紧凑的PCB板上布局。1.7V~1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效，有助于延长便携式设备的续航。其宽泛的工作温度范围（0°C ~ 95°C）确保了在多种复杂环境下稳定运行，让您的产品设计更具韧性和竞争力。

• 型号:MT49H8M36FM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36FM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。