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还在为系统数据吞吐速度跟不上而烦恼吗？让MT49H8M36BM-25:B TR为您带来改变！这颗288Mb并行DRAM芯片，拥有高达400MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能轻松胜任高速数据缓冲与实时处理任务，瞬间提升您设备的响应效率与运行流畅度。

它采用1.7V~1.9V低电压工作，节能高效，并且能在0°C至95°C的宽温范围内稳定运行，适应性强。无论是工业控制、网络通信还是其他需要可靠、高速存储支持的应用，它都能成为您系统中高效、稳定的数据引擎。

通过其并联接口和8M x 36的存储结构，它能为您构建起宽阔的数据通道，有效缓解系统带宽压力。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的性能与可靠保障。

• 型号:MT49H8M36BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。