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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H8M36BM-18:B为您带来飞跃式的性能提升！这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，拥有高达533MHz的运行频率和仅15ns的快速访问时间，能轻松应对高速数据缓存与实时处理的严苛要求，让您的嵌入式设备运行如飞。

它采用144-TFBGA紧凑型封装和表面贴装技术，易于集成到空间受限的设计中。1.7V~1.9V的低电压工作范围有助于降低整体系统功耗，而其宽广的0°C至95°C工作温度范围，则确保了在各类工业与商业环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠的数据心脏。

• 型号:MT49H8M36BM-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。