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还在为系统数据带宽不足而困扰吗？MT49H64M9FM-25E:B正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的576Mb并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率和仅15ns的快速访问时间，能瞬间提升您的设备数据处理能力，让海量信息流转如飞，轻松应对实时计算与高速缓冲的严苛需求。

它采用先进的1.8V左右低电压核心供电，在显著降低系统功耗的同时，确保了从0°C到95°C的宽温范围内稳定运行。无论是嵌入到工业控制主板，还是集成于通信设备之中，其144-TFBGA的紧凑封装都能让您高效利用板卡空间，实现更精巧、更可靠的产品设计。选择它，就是为您的系统注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT49H64M9FM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9FM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。