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还在为系统数据缓冲的瓶颈而烦恼吗？让MT49H64M9CBM-25E:B为您带来飞跃式的体验。这颗576Mb（64M x 9）容量的并行DRAM，能以高达400MHz的时钟频率疾速运行，配合15ns的极低访问时间，让您的应用处理海量临时数据时行云流水，彻底告别卡顿与等待。

它采用1.7V~1.9V低电压工作，有效帮助您控制整体系统功耗与发热。其表面贴装的144-TFBGA封装设计紧凑，能轻松集成到空间受限的板卡中。无论是用于需要高速数据交换的网络设备、工业控制终端，还是其他对实时性要求严苛的嵌入式场景，它都能成为您系统中高效、可靠的记忆核心，助力您的产品性能稳居前沿。

• 型号:MT49H64M9CBM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9CBM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。