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还在为您的嵌入式系统或网络设备寻找一颗强劲、可靠的“数据引擎”吗？MT49H32M18SJ-25:B正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度运行，并实现低至20ns的快速数据访问，瞬间提升您系统的数据处理与响应能力，让海量信息流转从此轻松无阻。

它采用高效的1.8V左右供电和紧凑的144-TFBGA封装，不仅帮助您优化整体功耗，更能节省宝贵的PCB空间。无论是驱动复杂的工业控制逻辑，还是保障网络数据包的流畅交换，它都能提供稳定而高效的支持，让您的设备在关键任务中表现始终出色。

• 型号:MT49H32M18SJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18SJ-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。