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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H32M18SJ-18:B就是您期待的答案。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，能以高达533MHz的速度运行，并实现15ns的快速数据访问，专门为您的高速计算、实时处理和密集数据缓存任务提供强劲支持。

它采用高效的并联接口和32M x 18的宽位配置，让您轻松应对大规模数据流的并行读写需求，显著提升系统响应速度和整体效率。1.7V~1.9V的低工作电压设计，帮助您构建更节能的产品。无论是网络设备、工业控制器还是高性能嵌入式平台，这颗芯片都能让您的设计如虎添翼，运行更稳定、更高效。

• 型号:MT49H32M18SJ-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18SJ-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。