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还在为系统内存性能不足而烦恼吗？MT49H32M18FM-25E:B TR这颗576Mb并行DRAM芯片，就是为您提升系统响应速度与数据处理能力的关键。它能够以高达400MHz的速度运行，并实现15ns的快速数据访问，让您的应用程序运行如飞，彻底告别延迟卡顿。

这颗芯片能为您做什么？它为您的高性能嵌入式系统、网络设备或工业控制器提供稳定、高速的数据缓冲与存储空间。其1.7V-1.9V的低电压特性帮助您构建更节能的设计，而宽温工作范围则确保了在苛刻环境下的可靠运行。选择它，让您的产品轻松获得美光科技领先的存储技术加持，构建更高效、更可靠的核心竞争力。

• 型号:MT49H32M18FM-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18FM-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。