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它采用高效的1.7V~1.9V低电压设计，在提供强劲性能的同时兼顾能效。其宽温（0°C ~ 95°C）特性和可靠的144-TFBGA封装，确保您的产品即使在严苛的工业环境中也能长期稳定运行。选择它，就是为您的核心设备注入高效、耐久的澎湃动力。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18CSJ-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。