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它采用先进的144-TFBGA封装，集成度高，节省空间，同时1.7V~1.9V的低功耗设计和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各种应用场景下的高效与稳定。无论是加速网络传输、提升图形处理能力还是保障工业控制的实时性，它都能成为您系统中可靠且强大的性能引擎，让您的产品设计更具竞争力。

• 型号:MT49H32M18CSJ-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18CSJ-18:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。