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还在为系统数据吞吐效率而烦恼吗？让MT49H32M18BM-25:B TR为您带来改变！这颗美光出品的576Mb并行DRAM芯片，是您提升系统响应速度的秘密武器。它以400MHz的高时钟频率和20ns的快速访问时间，确保数据能够被高效、即时地存取，让您的主处理器无需等待，全力运算。

它采用1.8V左右供电和144-TFBGA小型化封装，让您在追求高性能的同时，也能轻松实现紧凑、节能的电路板设计。无论是用于工业控制、网络通信还是高端显示缓冲，这颗芯片都能提供稳定可靠的大带宽数据支持，助您轻松构建流畅、高效的核心系统。

• 型号:MT49H32M18BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18BM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。