我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H16M36SJ-25 IT:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H16M36SJ-25 IT:B TR这颗576Mb（16M x 36）并行DRAM，就是您提升系统响应速度的利器。它以高达400MHz的时钟频率和并联接口，为您带来高速、宽位宽的数据交换能力，轻松应对实时数据处理、高速缓冲等苛刻需求。

更令人放心的是，它能在-40°C至85°C的宽广温度范围内稳定工作，并采用1.7V~1.9V低电压设计，兼顾了高性能与低功耗。这颗采用144-TFBGA封装的芯片，让您能在紧凑的空间内实现强大的存储功能，显著提升终端产品的竞争力与可靠性。

• 型号:MT49H16M36SJ-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。