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还在为系统数据吞吐能力不足而焦虑吗？MT49H16M36FM-25:B TR就是您期待的答案。这颗576Mb容量、36位宽的并行DRAM，凭借400MHz的高频和仅20ns的快速访问时间，能瞬间提升您的数据处理流水线效率，让海量信息得以高速、流畅地交换。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，有效降低系统整体功耗，同时其0°C至95°C的宽温工作特性，确保在严苛环境下依然稳定可靠。无论是用于需要快速缓冲的网络设备，还是实时性要求极高的工业控制核心，它都能让您的设计轻松应对性能挑战，实现高效、稳健的运行。

• 型号:MT49H16M36FM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36FM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。