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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M36BM-18 IT:B TR为您带来畅快的数据体验。这颗576Mb（16M x 36）并行DRAM，凭借高达533MHz的时钟频率和仅15ns的访问时间，能轻松应对高速数据缓冲、实时图像处理等苛刻任务，让您的系统响应如闪电般迅捷。

它采用1.7V~1.9V低电压供电与144-TFBGA紧凑封装，在提升能效的同时节省宝贵空间。更令人安心的是，其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，确保您的设备即使在极端环境下也能稳定运行，是工业控制、通信设备等高可靠性应用的理想存储伙伴。

• 型号:MT49H16M36BM-18 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-18 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。