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它采用1.7V~1.9V的低电压运行，在爆发强劲性能的同时，显著优化系统能效，帮助您设计出更节能、发热更少的产品。其坚固的144-TBGA封装和宽温工作特性（0°C ~ 95°C），确保了在各种复杂环境下的长期稳定运行，让您的设备可靠性大幅提升。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制器注入一颗高效、可靠的强大内核。

• 型号:MT49H16M18SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M18SJ-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。