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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M18CFM-25:B为您注入澎湃动力！这颗美光出品的288Mb并行DRAM，拥有高达400MHz的运行频率和仅20ns的快速访问时间，能轻松应对高速数据读写挑战，显著提升您的系统响应速度与整体流畅度。

它采用高效的并联接口与1.7V~1.9V低电压设计，在为您提供强大带宽支持的同时，也实现了性能与能效的出色平衡。无论是用于工业控制、网络通信还是需要快速数据缓冲的嵌入式场景，它都能让您的设备运行更高效、更稳定。选择它，就是为您的核心硬件选择了一位可靠的高性能伙伴。

• 型号:MT49H16M18CFM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18CFM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。