我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H16M18CBM-25 IT:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M18CBM-25 IT:B为您带来变革！这颗由美光科技出品的288Mb并行DRAM，就像为您的高速系统配备了一个超级反应堆。它以400MHz的时钟频率和20ns的极速访问时间，让海量数据的读写变得瞬间完成，彻底释放您设备的性能潜力。

它能在1.7V至1.9V的低电压下高效运行，显著优化您的系统能耗。同时，其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，确保无论是在炎热的户外设备还是寒冷的工业环境中，都能提供稳定可靠的存储支持。采用紧凑的144-TFBGA封装，轻松集成到您的设计中，助力您打造出更高效、更强劲的终端产品。

• 型号:MT49H16M18CBM-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18CBM-25 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。