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还在为系统缓存带宽不足而烦恼吗？MT49H16M18CBM-25:B TR 将彻底改变您的体验。这颗288Mb（16M x 18）并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率，能为您的高速应用提供强大的数据吞吐能力，让海量信息处理变得轻松而高效。

它采用1.8V左右的核心电压，在提升性能的同时有效控制功耗，配合0°C至95°C的工业级工作温度范围，确保您的设备在各种环境下都能稳定运行。其表面贴装的144-TFBGA封装形式，更便于您进行高密度的PCB板设计，帮助您打造出更紧凑、更可靠的终端产品。

• 型号:MT49H16M18CBM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18CBM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。