我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H16M18BM-18:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗能扛住压力、跑出速度的“内存心脏”吗？MT49H16M18BM-18:B正是您期待的解决方案。这颗美光出品的288Mb并行DRAM，能以高达533MHz的速度与您的处理器协同工作，15ns的极速访问时间让数据调用瞬间完成，显著提升系统响应效率，让您的设备运行如飞。

它采用1.7V~1.9V低电压运行，帮助您轻松优化整体功耗，同时其宽温特性（0°C ~ 95°C）确保了在苛刻环境下的稳定表现。无论是工业控制、通信设备还是其他需要高可靠性和高带宽的应用，它都能提供坚实的数据缓冲支持，让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:MT49H16M18BM-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18BM-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。