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还在为嵌入式系统寻找一颗“又快又省”的内存芯吗？MT48H8M32LFB5-10 IT TR就是您的理想伙伴。这颗美光科技的256Mb并行移动低功耗SDRAM，能以高达100MHz的时钟频率和仅7ns的访问时间，让您的应用数据飞速处理，同时其1.7V~1.95V的低电压供电特性，显著降低系统整体功耗，轻松延长设备续航。

它采用紧凑的90-VFBGA封装，为您节省宝贵的电路板空间。更令人放心的是，其宽达-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保设备即使在极端环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的工业控制、通信模块或便携设备选择了一份高效、可靠的数据处理保障。

• 型号:MT48H8M32LFB5-10 IT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:7 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H8M32LFB5-10 IT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。