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还在为嵌入式系统寻找一颗性能稳定、久经考验的内存核心吗？MT47R512M4EB-25E:C正是您理想的解决方案。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM，采用512M x 4的并行架构，能以高达400MHz的速度流畅处理数据，让您的设备在工业控制、网络通信等场景中应对自如。

它不仅仅提供海量的2Gb存储空间，更以低至400ps的快速访问时间和1.8V左右的低功耗运行，为您带来高效能的同时兼顾能效。其坚固的60-TFBGA封装和宽温工作特性，确保它在0°C至85°C的严苛环境下依然稳定可靠。选择它，让您的产品拥有坚实的数据处理基石，轻松应对各种复杂挑战。

• 型号:MT47R512M4EB-25E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.55V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47R512M4EB-25E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。