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它采用1.8V左右供电，访问时间快至500ps，在显著提升数据处理效率的同时，有效优化了能耗。其64M x 8的并行架构和稳定的宽温工作特性（0°C~85°C），特别适合嵌入到对性能和可靠性有双重要求的工业控制、网络通信及高端消费电子等产品中，是您提升产品竞争力的得力助手。

• 型号:MT47H64M8CB-37E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-37E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。