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您正在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的存储芯片吗？MT47H64M8B6-3 IT:D TR就是您理想的伙伴。这颗美光DDR2 SDRAM芯片，能为您的高速嵌入式系统提供坚实的数据后台，其512Mb的并行架构和333MHz的运行速度，让您的设备处理数据更加流畅迅捷。

它专为严苛环境打造，支持-40°C到95°C的极端温度，让您的工业控制、汽车电子或通信设备无论面对何种挑战，都能保持高效稳定的运行。1.8V的低电压设计有助于优化整体功耗，而紧凑的60-FBGA封装则让您能轻松进行高密度板卡布局，最大化利用每一寸空间。

• 型号:MT47H64M8B6-3 IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-3 IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。