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它专为追求稳定与高效的您而设计。1.8V左右的核心电压，在提供强劲性能的同时显著降低功耗，特别适合需要长时间不间断运行的工业控制、网络通信等设备。其经典的并行接口和64M x 8的容量配置，让您能轻松对接主流处理器，简化设计流程。选择它，就是为您的项目选择了一份经过市场千锤百炼的可靠保障，让您专注于核心创新，将数据存储的难题交给我们来解决。

• 型号:MT47H64M8B6-25E L:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-25E L:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。