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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗性能稳定、久经考验的内存核心吗？MT47H64M4BP-37E:B TR正是您理想的答案。这颗256Mb容量的DDR2 SDRAM芯片，采用高效的64M x 4架构，能以高达267MHz的速度与您的处理器协同工作，轻松应对实时数据读写与缓冲任务，显著提升系统响应效率。

它采用1.8V典型供电，功耗控制出色，配合表面贴装的60-FBGA紧凑封装，让您能在有限的空间内实现高性能存储布局。无论是网络设备、工业控制器还是其他需要可靠并行内存接口的应用，它都能提供稳定、高效的数据吞吐支持，是成熟平台升级与维护的可靠伙伴。

• 型号:MT47H64M4BP-37E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:64M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12）
• MT47H64M4BP-37E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。