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您正在寻找一颗能提升系统数据吞吐效率的可靠内存核心吗？MT47H64M16NF-187E:M正是这样一款专为高性能需求设计的1Gb DDR2 SDRAM。它以533MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速处理器提供流畅的数据供给，轻松应对实时数据处理、高速缓存等关键任务，显著提升系统响应速度。

这颗芯片采用1.8V左右低电压运行，配合0°C至85°C的工业级工作温度范围，不仅帮助您优化系统能耗，更能确保在多种环境下稳定工作。其紧凑的84-TFBGA表面贴装封装，让您能更高效地利用电路板空间，简化设计布局。选择它，就是为您的嵌入式系统选择一个久经考验、性能扎实的数据伙伴。

• 型号:MT47H64M16NF-187E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16NF-187E:M，Micron（美光）产品一站式供应商。