我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H512M8WTR-25E:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据处理速度而烦恼吗？MT47H512M8WTR-25E:C TR将彻底改变您的体验。这颗来自美光科技的4Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有512M x 8的并行架构，能以高达400MHz的时钟频率飞速运转，让您的系统轻松实现大数据量的瞬时读写与高效缓存。

它采用先进的1.8V左右低电压工作设计，在提供强劲性能的同时，显著降低功耗与发热，让您的设备运行更冷静、更持久。无论是复杂的工业控制指令，还是密集的网络数据流，它都能以400ps的极快访问时间精准响应。其63-TFBGA小型化封装，便于您集成到空间受限的设计中，是升级现有系统或开发经典延续型产品的可靠存储核心之选。

• 型号:MT47H512M8WTR-25E:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M8WTR-25E:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。